The Effect of SbI3 Doping on the Structure and Electrical Properties of n-Type Bi1.8Sb0.2Te2.85Se0.15 Alloy Prepared by the Free Growth Method

Warrendale, Pa / TMS (2017, 2018) [Beitrag zu einem Tagungsband, Fachzeitschriftenartikel]

Journal of electronic materials
Band: 47
Ausgabe: 2
Seite(n): 998-1002

Autorinnen und Autoren

Ausgewählte Autorinnen und Autoren

Wang, Xiaoyu
Yu, Yuan
Zhu, Bin
Gao, Na
Huang, Zhongyue

Weitere Autorinnen und Autoren

Xiang, Bo
Zu, Fangqiu

Identifikationsnummern